真空泵是半導(dǎo)體制造的 “心臟” 設(shè)備,在晶圓制造各環(huán)節(jié)。光刻工序中,干式真空泵(抽速達 3000m3/h)將光刻腔室壓力控制在 10??Pa,確保光刻膠均勻涂布和紫外線精準(zhǔn)曝光,某晶圓廠采用該真空泵后,光刻圖案線寬誤差控制在 ±1nm。
刻蝕工藝依賴真空泵創(chuàng)造高真空環(huán)境(10??Pa),分子泵通過高速旋轉(zhuǎn)(24000 轉(zhuǎn) / 分鐘)排出反應(yīng)氣體,避免雜質(zhì)污染刻蝕表面,某 12 英寸晶圓廠的刻蝕機配備磁懸浮分子泵,使刻蝕速率穩(wěn)定性提升 20%。
薄膜沉積(PVD/CVD)過程中,真空泵需快速抽除未反應(yīng)的金屬原子或氣體,羅茨泵與渦旋泵組合可實現(xiàn)從大氣壓到 10?3Pa 的快速過渡(抽氣時間 < 30 秒),保障薄膜厚度均勻性。此外,真空泵的無油設(shè)計(如干式螺桿泵)避免了油蒸氣污染晶圓,某芯片制造商因使用含油真空泵,導(dǎo)致芯片良率下降 5%,更換無油真空泵后良率恢復(fù)至 98%。
免責(zé)聲明